基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能弱小的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）零碎和汽车启停零碎的理想解决方案。



　　IPB180N03S4L-H0可满足需求许多并联MOSFET的大电流应用（超过500A）的要求。由于IPB180N03S4L-H0具备180A额定电流，因此，可使大电流零碎所需的并联MOSFET减少一半，从而优化电流共享、热功能和成本。由于汽车电机逐步转向脉宽调制（PWM）控制以进步效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件还可提供电池反向连接保护功能。

　　OptiMOS-T2技术和结实耐用的封装经过精心设计，能够在MSL1 （1级潮湿度）条件下，承受回流焊接过程中的260 °C高温，并且采用无铅电镀，以符合RoHS标准。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完整符合汽车电子委员会（AEC-Q101）的规范要求。英飞凌保守的沟槽技术具备低栅电荷、低电容、低开关消耗和出色的优值系数，可使电机效率达到新高，同时最大限制降低EMC辐射。此外，优化的栅电荷可确保更小的驱动输入级。


　　英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的 OptiMOS-T2 30V MOSFET 是一款N沟道器件，在10v栅源电压条件下，漏极电流为180A,而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0,可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。



　　出于成本和效率原因，整个行业都开始转向沟槽设计。OptiMOS-T2等功率MOSFET沟槽技术绝对于以往的技术，在通态电阻和栅电荷方面完成了大幅改进。这使得优值系数（FoM=栅电荷x通态电阻）达到业界最低程度。此外，英飞凌创新的大电流“Powerbond”技术可解决MOSFET键合引线受限成绩，降低键合引线通态电阻的降幅，并增强电流功能。经过使键合引线更凉能进一步进步可靠性。最新的Powerbond技术可确保一个MOSFET具备多达4条500微米键合引线，使标准封装器件具备180A的额定电流。