漏极电流为180A、导通电阻为0.95mΩ的30V耐压功率MOSFET



　　英飞凌表示，通过采用该公司自主开拓的沟道技术，减小了导通电阻。并且，全部栅极电荷量仅为230nC（标准值）。该公司称，用导通电阻与全部栅极电荷量的乘积求出的性能指数（FOM:figureofmerit）“达到了业界最高水平”.栅源电压最大为±16V.栅极的阈值电压为+1.5V（标准值）。栅极源极电荷量为55nC（标准值），栅极漏极电荷量为28nC（标准值）。输入容量为17500pF（标准值）。

　　封装采用7端子D2PAK.支持表面安装。工作温度范围为-55~+175℃。价钱尚未公开。
　　德国英飞凌科技（Infineon Technologies）上市了最大漏极电流为180A、导通电阻仅为0.95mΩ（标准值）的+30V耐压n通道功率MOSFETIPB180N03S4L-H0\该产品属于该公司的“OptiMOS-T2”系列。符合车载设备用电子部件的质量标准“AEC-Q100”.主要用于需要供应大电流的车载马达的驱动及电动助力转向（EPS）等。