供货情况：



　　美光预计于2010年9月末尾提供2Gb 50纳米DDR2内存样片，方案于2010年第四季度正式量产。

　　美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提高，采用50纳米制程更有助于降低功耗，并增加内存占用（memory footprint）。



　　美光为客户开拓的DDR2内存维持一贯对质量的高要求，提供优异的性能和多种配置、容量和封装的选择。最新型50纳米DDR2系列产品包括：


　　美光科技 （Micron Technology, Inc.）宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔行将对平板电脑和上网本推出基于Intel? 凌动？ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 梦想存储解决方案。



　　从512Mb到2Gb多种容量器件可供选择，提供X4/X8/X16封装 从1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模块配置 传输率高达800 MT/s,为更高的总线速度（Bus Speed）提供迁移途径 支持1.55伏特电压，降低内存系统耗电