memsstar的价格为5000万日元~1亿5000万日元（不含税，价格因安拆卸置而异）。佳能MJ以往在MEMS制造安装方面次要销售硅深蚀刻安装。佳能MJ表示，将通过在以往销售的安装中追加此次的牺牲膜蚀刻安装，为用户提供更广泛的MEMS处理方案。

　　在安装的形成上，具备可分别处理氧化膜类和硅（Si）类两类牺牲层的两个蚀刻腔室，以及用于使形成的立体结构表面具有斥水性和 水性的涂装处理的腔室，上述合计共3个腔室。蚀刻腔室和涂装腔室可通过搬运模块连接，能够在不暴露于外部空气的情况下连续进行蚀雕和涂装处理。

 

　　佳能MJ在日本销售的memsstar采用该干蚀刻方式，并导入了逐片处理晶圆的枚叶方式，以及可连续进行牺牲层的去除和立体构造的表面涂装处理的功能，提高了产生效率及工艺性能。比如在生产效率方面，“与本来的干蚀刻安装相比，有时可实现数倍的蚀刻速度”（佳能MJ）。另外，由于采用了枚叶方式，因此处理工艺的灵活性出色，处理时间也很短。

　　日本佳能营销（佳能MJ）将从7月28日开始在日本销售在MEMS制造工序中形成立体构造时所需的牺牲层去除用枚叶式干蚀刻安装“memsstar”.该安装由英国Point35 Microstructures公司制造，目前佳能MJ已与Point 35签订了在日本的销售合同。



　　在实现MEMS的立体构造时需要牺牲层。比如，通过在牺牲层上进行目标材料的成膜和蚀刻处理，去除牺牲层，便可实现立体构造。用于去除牺牲层的蚀刻处理以往普遍采用通过化学药剂进行蚀刻的湿蚀刻方式。但是，随着MEMS向微细化和高集成化发展，出现了在湿蚀刻及其之后的干燥工序中立体构造的图案贴在一同的问题。为了处理这一问题，业界开始了向借助与气体之间的化学反应来去除牺牲层的干蚀刻过渡。