尔必达发布了采用40nm工艺制造的2Gbit LPDDR2型DRAM“DDR2 MobileRAM”.该产品是面向智能手机及平板电脑市场开发的。据尔必达引见，该产品将成为在广岛工厂40nm工艺生产线强化产能后的主力产品。

 

 

此次的芯片 尔必达的数据。



　　另外，此次的40nm产品与本来的50nm产品相比，工作电流约削减30%,有助于延伸便携产品的工作时间。尔必达设想以多种形式供货。比如，面向MCP以裸片形式供货。还准备有采用134球FBGA（10mm×11.5mm）封装的产品及采用支持PoP封装的产品。FBGA封装产品通过采用积层技术，备有从2Gbit到8Gbit的产品群。

　　电源电压方面，VDD2和VDDQ为1.2V,VDD1为1.8V.工作温度范畴为-30~+85℃。预定2010年8月开始样品供货40nm工艺新产品，9月开始量产。

　　尔必达009年9月发布了采用50nm工艺制造的2Gbit LPDDR2型DRAM“DDR2 MobileRAM”.当时每个引脚的数据传输速度最大为800Mbit/秒，此次提高到了1066Mbit/秒。据该公司引见，通过形成64bit的存储器系统，可实现8.5GB/秒的性能。