通过上述几个问题的回答，我们已基本上了解目前LED芯片的电一光转换效率不是很高，也就是说其内量子效率和外量子效率都有很大的提高空间，需要LED科技、产业界去努力改进。

内量子效率的改进，从改进半导体材料的杂质、位错和缺陷着手，另外从PN结生长工艺上加以改善，在芯片结构和形状设计上也有提高的余地，要做较多的工作，并要充分开拓新材料、新工艺以取得效率提高上的突破。

在芯片电极设计和电极引出上采用新的构思和工艺方法，在这方面近年已有较大提高与突破。另外，在材料、光学设计方面均要加以改进，总之要做的工作很多，电一光转换效率达到一定值LED可以成为传统光源的取代者。

LED电一光转换效率不高引起的另一个问题在于PN结内部电能损耗为热能，引起LED芯片发热，过高的热量会引起LED PN结的退化，具体表现为光电参数的变劣，因此提高LED芯片的电一光转换是从根本上解决LED热退化的关键所在，也是LED能否真正取代传统光源的技术关键所在。