PSS是LED灯技术的又一进步，可以提高大功率LED芯片的发光效率。通常GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方式生長在藍寶石基板(Sapphire Substrate)上，由於磊晶GaN與底部藍寶石基板的晶格常數(Lattice Constant)及熱膨脹係數(Coefficient of Thermo Expansion; CTE)相差極大，所以會產生高密度線差排(Thread Dislocation)達108~1010 / cm2，此種高密度線差排則會限制了GaN LED灯的發光效率。藍寶石基板蝕刻圖形化(PPS)可以有效增加光的萃取效率，因為藉由基板表面幾何圖形之变化，可以改变LED灯光线的散射机制，或將散射光導引至LED內部，進而由逃逸角錐中穿出，从而提高发光效率。下面简要介绍99ledLED灯芯片和PSS生产和测试设备，以及相关的测试项目。光刻机——采用分步投影调焦调平技术，改善由于蓝宝石晶片局部形变对整片曝光图形一致性造成的影响，确保良品率，提高LED灯公司效益。Track设备——根据PSS工艺特点，提供与光刻机配套的匀胶显影系统，具备高匀胶控制精度和均匀性、一致性，保证图形的高品质。ICP设备——提供用于LED制造的基于GaN、GaAs、Al的ICP刻蚀设备，是高效率的LED灯厂家专业设备。 台阶仪——测量刻蚀的深度、宽度及其刻蚀均匀性 SEM——评价刻蚀形貌、粗糙度、损伤等 AFM——测量图形化衬底的形貌，及其图形的深度、高度、宽度及其角度等信息，同时可以 测量刻蚀表面的粗糙度等 AES/XPS——测量刻蚀表面的成分，评价刻蚀对刻蚀物的损伤 X 射线衍射仪——分析外延片的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面 Raman散射光谱——组分、结构和形貌的分析和测定参数测量和物性研究：如异质结结构中 的声子和界面性质、电子浓度、缺陷杂质局域振动等结构相和相变研 究：有序无序结构相变等。 HL霍尔效应测试系统——测试LED照明材料及外延层材料电阻系数，载流子浓度及迁移率 PL（PL Mapping）荧光光谱仪测量材料的光致发光特性、对半导 体Wafer进行微区均匀性测量和表面分析 电化学C-V测试系统——作LED照明材料及外延层材料纵向浓度分布测试 EL测试系统——测试VF、亮度、波长、半波宽等 面电阻测试仪——测试LED外延层电阻率 LED衬底材料厚度/ 平坦度测试仪——测试蓝宝石衬底厚度/弯曲度/翘曲度/平坦度 LED芯片测试机——可测试VF，IR，VZ，LOP，λ P，λ d，λC,（x,y）, HW,CCT 等各项 LED 芯片光电参数 LED芯片/成品老化测试系统——测量芯片的可靠性 ITO表面电阻测试仪——测试硅晶圆扩散层或金属层的电阻系数及Sheet的电阻值