硅衬底芯片、COB封装、覆晶型LED芯片、高压LED芯片是当今LED灯技术发展的热点，那究竟哪一种技术能够脱颖而出呢？硅衬底芯片LED灯比传统的蓝宝石基底LED的散热能力更强，因此功率可做得更大。硅基LED封装工艺流程为：绝缘及金属层、芯片/金属线键结及荧光材料涂布、透镜组装，再进行切割与测试。使用硅晶圆方法可以藉以控制穿孔型式(单一或多重)，因而增加光萃取率，这是陶瓷基板所做不到的。成都朝月99led兼容晶圆级荧光粉涂布技术，可以在LED芯片最上层造就薄而高效能的荧光粉出光层，可改善黄晕现象，且此技术可控制色温的一致性。江西晶能光电就在全力发展硅衬底LED，理论上讲硅衬底LED成本很低，但由于硅材有容易碎裂的缺点，且结构强度也是问题，荧光粉则需考虑其电子亮度和热与湿阻抗，镜头的折射率及热稳定度、粘着性等都是技术难点，目前产品合格率还很低，导致成本偏高，硅衬底LED灯难以工业化生产。 　　COB封装LED灯成本相对较低，散热功能明显，并且具有高封装密度和高出光密度的特性，易于进行个性化设计，是未来封装发展的主导方向之一。目前存在的问题是COBLED灯在降低一次光学透镜的多次折射而造成的出光损失，因此在出光效率和热能增加方面仍待改善，基板的制作良率也有待提升。覆晶型LED芯片也是业界极力发展的目标。覆晶型芯片的制作较立体型简单许多，且可避掉复杂工艺，使得量产可行性大幅提升，加上后端芯片工艺金手指和过孔技术成熟辅助，以往必须种植多颗金球的固晶方式转变为大面积P、N电极直接黏着支架，搭配上eutectic固晶方式，更大大的简化了覆晶型芯片封装的技术门坎，再者，缩短的封装散热路径，相较于水平式芯片有较佳的散热能力，驱动电压也可下降，林治民强调，在未来节能减碳的驱动下，覆晶型芯片封装会是很好的解决方案。高压LED芯片的LED灯也是一大重点。第一，高压LED所需的驱动电流大大低于低压LED。而LED灯发热量与电流正相关，降低电流可以减少发热量。第二，高压LED可以大幅降低AC-DC转换效率损失。我们知道，输入和输出压差越低，AC到DC的转换效率就越高，可见如采用高压LED，变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，也就减少了整灯总体发热量。第三，发热量大幅减少可以降低散热部分的成本。不再需要昂贵的散热部件，如热管、电场自动风冷等，用更薄更轻的铝外壳就可满足LED灯具的散热需求，散热成本的降低也意味着整体LED灯具成本的大幅降低。