LED是由 III-V族化合物 ,如 GaAs,GaP,GaAsP等半导体制成的 ,其核心是 PN结 .因此 ,它具有一般PN结的伏安特性 ,即正向导通 ,反向截止 ,击穿特性 .此外 ,在一定条件下 ,它还具有发光特性 .在正向电压作用下 ,电子由 N区注入 P区 ,空穴由 P区注入 N区 ,进入对方区域的少数载流子的一部分与多数载流子复合而发光 .
PN结的端电压构成一定的势垒 ;当加正向偏置电压时势垒下降 , P区和 N区的多数载流子向对方扩散 .由于电子迁移率比空穴迁移率大得多 ,所以 ,出现大量电子向 P区扩散 ,构成对P区少数载流子的注入 .这些电子与价带上的空穴复合 ,复合时得到的能量以光能的形式释放出去 ,这就是PN结的发光原理 .