自从1993年Nakamura发明高亮GaN蓝光led以来，LED技术及应用突飞猛进。究其原因有两个方面：1）全系列RGB LED产生，其应用面大大拓宽，2）白光LED产生，让追求低碳时代的人们期望LED尽快成为智能化的第四代固态照明光源。虽然LED的发光效率已经超过日光灯和白炽灯，但商业化LED发光效率还是低于钠灯(150lm/W)。那么，哪些因素影响LED的发光效率呢？就白光LED来说，其封装成品发光效率是由内量子效率, 电注入效率, 提取效率和封装效率的乘积决定的。
其中内量子效率主要取决于PN结外延材料的品质如杂质、晶格缺陷和量子阱结构, 目前内量子效率达60%。电注效率是由P型电极和N型电极间的半导体材料特性决定的，如欧姆接触电阻，半导体层的体电阻（电子的迁移率）。对460nm蓝光（2.7eV）LED，导通电压3.2-3.6V, 所以目前最好的电注入效率84%。但AlGaInP LEDs的大于90%。提取效率由半导体材料间及其出射介质间的不同折射率引起界面上的反射，导致在PN发射的光不能完全逸出LED芯片。提取效率目前最大达75%。封装效率由封装材料荧光粉的转换效率和光学透镜等决定的，封装效率为60%。因此目前白光LED的总效率可达23%。就LED芯片制造技术来说，它只直接影响着电注入效率和提取效率，因为内量子效率.和封装效率分别直接与MOCVD技术和封装技术有关，因此本文着重介绍相关于电效率和提取效率的LED芯片技术及其发展趋势。
1.改善电注入效率
从电学上来说LED可以看作由一个理想的二极管和一个等效串联电阻组成，其等效串联电阻由P型层电阻 、P型接触电阻、N型层电阻、N型接触电阻以及P-N结电阻等五部分组成。由于在四元AlGaInP LED中电注入效率大于90%，故下面重点讨论GaN基LED。
1）接触电阻
对于N-GaN的欧姆接触相对容易制作，常用几种金属组合如Ti/Al，Ti/Al/Ti/Au, Cr/Au/Ti/Au等，接触电阻率通常可以达到10-5~10-6 Ω·cm2。尤其用得最多的四层金属Cr/Au/Ti/Au的欧姆接触达 0．33 nΩ·cm2。值得一提的是有Al的金属组合中高温性能较差，在温度较高时Al存在横向扩散，这对于小尺寸芯片非常容易出现短路现象。
2）体电阻
由于掺Mg的P型GaN 载流浓度只有 1017/cm3量级，P型GaN层电阻率比较大（~1Ω?cm），比N型电阻率高出一个数量级以上，可以认为等效串联电阻的体电阻主要产生在P型层中。因此，采用两种方法来减小体电阻：一种是合理设计P、N电极结构，尽量缩短它们间的距离，尤其对于大功率芯片。另一种采用透明导电层（ITO/TCL）。
2.改善提取效率
（1） 芯片塑形（chip shaping）
（2） 表面粗化
（3）全角反射镜(Omni-Directional Reflector，ODR)
（4）键合技术（Wafer-Bonding）
（5）激光剥离技术（Laser Lift Off, LLO）
（6） 倒装技术(Flip Chip)
（7）光子晶体（Photonic Crystal）
（8）薄膜芯片技术（Film technology）
(9) AC LED芯片技术
实现75lm/W。
3.技术发展趋势
在不久的将来，采用新的金属半导体结构，改善欧姆接触，提高晶体质量，改善电子迁移率，电注入效率可获得92%。改善LED芯片外形，表面粗化和光子晶体，高反射率镜面，透明电极，提取效率可得90%，那时白光LED的总效率可达到52%.
随着LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片，如22，可切割的芯片数越多，从而降低单颗芯片的成本，降低了价格。如出现6mil。另一方面单芯片功率越做越大，如3W，将来往5W，10W发展。这对于功率需求的LED灯具照明等应用中可以减少芯片使用数，降低应用系统的成本。