三菱重工业在“第11届半导体封装技术展”（1月20~22日与第39届INTER NEPCONJAPAN同时举行）上，展出了将3片200mm晶圆粘合在一起的样品。使用可处理200mm晶圆的常温粘合装置，以2片带氧化膜的硅晶圆夹1片普通硅晶圆的方式进行粘合。首先将带氧化膜的硅晶圆与普通的硅晶圆粘合后，然后再与另一片带氧化膜的硅晶圆粘合。该公司的常温粘合技术是将表面以氩离子束清洁并活化后的材料进行粘合的技术。可用于元器件的晶圆级封装。



　　由于是在常温下粘合，因此粘合3片晶圆也不会发生变形，适于制造以高精度为卖点的MEMS传感器等。该公司以前也曾推出过常温粘合装置，但当时的可处理晶圆直径在150mm以下。原来主要用于MEMS和化合物半导体。可处理200mm晶圆的装置从2009年下半年开始受理订单，目前已有交货实例。

 

　　因可处理200mm晶圆，该公司的常温粘合技术可使形成有硅贯通孔的晶圆实现高可靠性的多片层叠。目前DRAM及闪存等领域已在探讨采用这种多片的晶圆级层叠。以往使用伴随加热的粘合技术时，存在最上层的粘合面如何加热，以及元器件特性随加热而劣化等技术课题。所以内存厂商几乎没有公布过成功实现2层以上层叠的开发成果。



　　三菱重工的常温粘合技术系与日本产业技术综合研究所共同开发。除了不会因热的影响而变形之外，还具备其他特点，诸如无需加热及冷却时间，可提高处理速度，而且还能够与硅、金属、陶瓷及化合物半导体等多种材料粘合等。



　　在粘合硅与带氧化膜的晶圆时，通常使用以等离子体活化粘合面，并加温至约200℃的热退火，然后再压焊的“等离子活化粘合”技术。但因等离子体活化粘合包含有加热处理，因此当粘合材料之间的热膨胀系数不同时，粘合后由残余应力造成的变形可能会导致元器件的特性劣化。