本帖最后由 zjlmhwq 于 2013-5-29 14:15 编辑

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　　自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光LED以来，基于GaN基蓝光LED和黄色荧光粉组合发出白光方式的LED照明照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白光LED的光效已经超过150lm/W，而实验室水平已经超过了200lm/W，远远高于传统白炽灯(15lm/W)和荧光灯(80lm/W)的水平。从市场看，LED已经广泛应用于显示屏、液晶背光源、交通指示灯、室外照明等领域，并已经开始向室内照明、汽车灯、舞台灯光、特种照明等市场渗透，未来有望全面替换传统光源。
　　LED照明照明光源的质量和LED芯片的质量息息相关。进一步提高LED的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是LED材料和芯片技术发展的目标。现将LED材料和芯片的关键技术及其未来的发展趋势做如下梳理：
　　一、材料外延
　　1.外延技术
　　金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术是生长LED的主流技术。近年来，得益于MOCVD设备的进步，LED材料外延的成本已经明显的下降。目前市场上主要的设备提供商是德国的Aixtron和美国的Veeco。前者可提供水平行星式反应室和近耦合喷淋头式反应室两种类型的设备，其优点在于节省原料、生长得到的LED外延片均匀性好。后者的设备利用托盘的高速旋转产生层流，其优点在于维护简单、产能大。除此以外，日本酸素生产专供日本企业使用的常压MOCVD，可以获得更好的结晶质量。美国应用材料公司独创了多反应腔MOCVD设备，并已经开始在产业界试用。
　　未来MOCVD设备的发展方向包括：进一步扩大反应室体积以提高产能，进一步提高对MO源、氨气等原料的利用率，进一步提高对外延片的在位监控能力，进一步优化对温度场和气流场的控制以提升对大尺寸衬底外延的支持能力等。

• LEDLED照明照明外延及芯片技术的最新进展.pdf