爱思强推出硅基氮化镓生长设备AIX G5+
爱思强股份有限公司推出最新产品AIX G5+，为其AIX G5行星式反应器平台提供5x200 mm硅基氮化镓生长专用设备。基于以客户为中心的发展计划，爱思强的研发实验室开发了此技术并设计并制造了此产品，包括特别设计的反应器硬件和工艺。该产品现已作为AIX G5系列的一部分推出，因此所有现有的G5系统均可升级至这一新设备。
爱思强表示硅基氮化镓技术是很多新兴功率电子器件市场领域的首选技术，同时在未来低成本高性能的高亮度LED产品制造方面拥有良好的前景。芯片尺寸以及材料对于制造工艺的成本效益至关重要，因此过渡到200 mm的标准硅芯片，将以其独特的成本优势成为未来发展的合理趋势。
爱思强表示经过了反复的数值模拟，从而设计出能够与现有的AIX G5反应器平台兼容，而且足以胜任5x200 mm工艺的独特工艺性能的新基本部件。而最终实现的极其稳定的工艺流程提供了较其他任何MOCVD平台更为均匀的材料特性以及更高的设备良率，同时也拥有5x200 mm的芯片生产能力。
爱思强的很多客户特别指出，所有5x200 mm芯片具有完全旋转对称的均匀形状、标准厚度的硅基衬底以及严格可控的芯片弯曲度，均完全符合他们所需的硅质生产需要。
（文章来源：led网）
爱思强表示硅基氮化镓技术是很多新兴功率电子器件市场领域的首选技术，同时在未来低成本高性能的高亮度LED产品制造方面拥有良好的前景。芯片尺寸以及材料对于制造工艺的成本效益至关重要，因此过渡到200 mm的标准硅芯片，将以其独特的成本优势成为未来发展的合理趋势。
爱思强表示经过了反复的数值模拟，从而设计出能够与现有的AIX G5反应器平台兼容，而且足以胜任5x200 mm工艺的独特工艺性能的新基本部件。而最终实现的极其稳定的工艺流程提供了较其他任何MOCVD平台更为均匀的材料特性以及更高的设备良率，同时也拥有5x200 mm的芯片生产能力。
爱思强的很多客户特别指出，所有5x200 mm芯片具有完全旋转对称的均匀形状、标准厚度的硅基衬底以及严格可控的芯片弯曲度，均完全符合他们所需的硅质生产需要。
（文章来源：led网）
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